幾年來，以氮化鎵（D-GaN,E-GaN）為標標志的第三代半導體帶來的快充小型化漸成氣候。這兩年，高壓氮化鎵技術越來越成熟，特別是零待機方案把氮化鎵帶入更大的風口。可以說，從低端配件快充到高端品牌廠家都把零待機氮化鎵作為首選突破方案。

   上海芯熠微電子的技術團隊生深耕一線品牌手機市場多年，跟著市場需求做產品，為客戶創造價值，零待機終于應用而生了。目前，uP-GaN系列產品已經獲得多項發明專利，產品受到客戶好評。   

UP-GAN驅動方案特點是：無光耦、協議內置、元件少，低成本、高集成。市場上其他的零待機方案也都帶光耦或磁耦，量產的不多。這些方案的協議都是外置的，系統元件多，系統成本明顯高于芯熠微電子的快充方案。